CSD87313DMS Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS
Fiche technique
892En stock
472Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST
Fiche technique
2 497En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel