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CSD87313DMST

Name: Texas Instruments CSD87313DMST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMST
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD87313DMST

N° de fab. :

CSD87313DMST

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

Fiche technique:

CSD87313DMST Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,64 €	2,64 €
	1,71 €	17,10 €
	0,98 €	98,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,98 €	245,00 €
	0,929 €	464,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD87313DMS

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,84 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD87313DMS

Description :

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	600 mV
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.7 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	13 ns, 13 ns
Transconductance directe - min.:	149 S, 149 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns, 27 ns
Série:	CSD87313DMS
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	41 ns, 41 ns
Délai d'activation standard:	9 ns, 9 ns
Poids de l''unité:	5,500 mg

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Fiche technique

CSD87313DMST Fiche technique

SPICE Models

CSD87313DMS PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

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