STMicroelectronics Transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™
Les transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™ de STMicroelectronics sont des dispositifs GaN hauteperformance, à mode d'amélioration (normalement désactivé) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes de conduction et une densité de puissance élevée dans les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de récupération inverse nulle, ce qui leur confère une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance traditionnels en silicium.
Les transistors SGT de STMicroelectronics combinent des structures G‑HEMT avancées avec des technologies de boîtiers robustes pour prendre en charge une capacité de courant élevé et un comportement de commutation ultra‑rapide, favorisant des performances thermiques améliorées et des conceptions de système compact. Les principales caractéristiques comprennent des plaquettes de source Kelvin pour un pilotage de grille optimisé, une capacité de gestion de l'alimentation élevée et une grande robustesse DES, ce qui rend ces transistors bien adaptés aux convertisseurs CA‑CC et CC‑CC, aux convertisseurs solaires, aux alimentations électriques industrielles et à d'autres systèmes à haute fréquence et haute efficacité. Globalement, la gamme PowerGaN E‑Mode de ST offre aux concepteurs une plateforme puissante pour la construction d'électronique de puissance de nouvelle génération avec une efficacité accrue, une taille réduite et des performances améliorées.
Caractéristiques
- Transistor à mode d'amélioration normalement désactivé et à montage en surface
- Retard de commutation très élevé
- Capacité de gestion de l'alimentation élevée
- Capacités extrêmement faibles
- Charge de récupération inverse nulle
- Configuration monocanal
- Plaquette de source Kelvin pour un pilotage de grille optimal (styles de boîtier sélectionnables)
- Protection DES
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs CA-CC
- Convertisseurs CC-CC
- Convertisseurs solaires
- Adaptateurs pour tablettes, ultraportables et AIO
- Adaptateurs et chargeurs rapides PD USB Type-C®
Caractéristiques techniques
- Options de tension de seuil grille-source de 1,8 V ou 2,5 V
- Options de tension de rupture drain-source de 650 V ou 700 V
- Plage de courant de drain continu de 6 A à 29 A
- Plage de résistance drain-source de 65 mΩ à 350mΩ
- Plage de dissipation d'énergie de 47 W à 305 W
- Plage de charge de grille de 1,5 nC à 8,5 nC
- Plage du temps de montée de 3,5 ns à 9 ns
- Plage du temps de descente de 4 ns à 9 ns
- Plage du délai de passage à l'ouverture typique de 1,2 ns à 7 ns
- Plage du délai de passage à la fermeture typique de 0,9 ns à 10 ns
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
- Options de boîtier DPAK-3, PowerFLAT-4, PowerFLAT-8 et TO-LL-11
Transistors présentés
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
STMicroelectronics Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL
Transistors 650 V, 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie.
Complétez votre conception
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
| Numéro de pièce | Fiche technique | Id - Courant continu de fuite | Pd - Dissipation d’énergie | Qg - Charge de grille | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT070R70HTO |  |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT140R70ILB | |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT190R70ILB | |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |