STMicroelectronics Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL

Les transistorsPowerGaN e-mode SGT65R65AL de STMicroelectronics sont des transistors de 650 V, 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie. Le SGT65R65AL de STMicroelectronics dispose d'un dispositif G-HEMT résultant qui fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation avec commutation ultra-rapide. Le dispositif peut permettre une densité de puissance élevée et des performances imbattables en matière d'efficacité.