Nouveauté Semiconducteurs discrets

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
Le MOSFET à tranchée et canal N BXK9Q29-60A de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) en mode amélioré dans un boîtier CMS SOT8002-3 (MLPAK33) en plastique, utilisant la technologie MOSFET à tranchée. Ce MOSFET à canal N est compatible avec les niveaux logiques, la commutation est rapide et il est entièrement homologué pour l’automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C. Le MOSFET à tranchée BXK9Q29-60A présente une tension drain-source maximale de 60 V, un courant de drain de crête maximal de 84 A et une dissipation de puissance totale maximale de 27 W. Ce MOSFET à canal N présente également une résistance à l'état passant drain-source standard de 23,7Ω, une énergie d'avalanche drain-source non répétitive maximale de 25 mJ et un courant d'avalanche non répétitif maximal de 15,8 A. Le MOSFET à tranchée BXK9Q29-60A est conforme aux normes RoHS UE/CN. Les applications typiques incluent l'éclairage LED, les circuits de commutation et la conversion CC-CC.