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Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

Les Transistors bipolaires PNP DXTP80x® de Diodes Incorporated sont en boîtier PowerDI® 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé, ce qui permet d’obtenir des produits finaux de densité supérieure. Ces dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur ≥-30, -60 ou -100 V et une tension émetteur-base ≥-8 V. Le DXTP80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les transistors bipolaires PNP de Diodes Inc. sont excellents pour des moteurs, des solénoïdes, des relais et des commandes de pilotes d'actionneurs.

Caractéristiques

  • BVCEO ≥-30, -60 ou -100 V
  • BVEBO ≥-8 V
  • Courant continu IC de -4 à -7,5 A
  • Courant d'impulsion de crête ICM de -10 à -14 A
  • Tension de saturation VCE(sat) ultra-faible ≤-35 mV à -1 A, ≤-50 mV à -1 A, ou ≤-70 mV à -1 A
  • Courant élevé RCE(sat) = 13, 26 ou 40 mΩ standard
  • Le boîtier à petit facteur de forme et à rendement thermique élevé permet d'obtenir des produits finaux de densité supérieure
  • Flanc mouillable pour un contrôle optique amélioré
  • Conçus pour résister à +175 °C - idéaux pour les environnements à haute température
  • Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Dispositif sans halogène ni antimoine - Dispositif « vert »

Applications

  • Commandes de grilles MOSFET et IGBT
  • Commutateurs de charge
  • Régulation basse tension
  • Convertisseurs CC/CC
  • Commandes de moteurs, solénoïdes, relais et pilotes d' actionneurs

Caractéristiques techniques

  • Boîtier PowerDI 3333-8
  • Matériau d'emballage en plastique moulé, composé de moulage « vert », indice d'inflammabilité UL 94V-0
  • Sensibilité à l'humidité de niveau 1 selon J-STD-020
  • Finition - bornes en étain mat, soudable selon MIL-STD-202, Méthode 208

Ressources supplémentaires

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Style de boîtier

Schéma du circuit d'application - Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x
Publié le: 2025-09-09 | Mis à jour le: 2026-02-10