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Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

Les Transistors bipolaires Diodes Incorporated DXTN/P 78Q et 80Q ont des valeurs nominales de 30, 60 et 100 V et ont un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels pour la commutation et pour la régulation exigeantes de puissance automobile. Les transistors bipolaires NPN et PNP à très basse VCE(SAT) se révèlent idéaux pour des systèmes de 12 V, 24 V et 48 V prenant en charge des applications telles que le pilotage de grilles à MOSFET et à IGBT, la commutation de charges, la régulation LDO, la conversion CC-CC et la commande de moteurs/d'actionneurs.

Les Diodes Inc DXTN/P 78Q et 80Q transistors bipolaires sont classés +175 °C et caractéristique haute DES robustesse (HBM 4 kV CDM 1 kV), assurant fiable exploitation dans des environnements difficiles. Le boîtier compact PowerDI® 3333-8 (3,3 mm x 3,3 mm) réduit l’empreinte sur la PCB de jusqu'à 75 % par rapport au SOT223 et offre une résistance thermique ultra-faible (4,2 °C/W).

Le Side cloison Plateable (SWP) technologie améliore la visibilité AOI et brasure la résistance du joint pour une fabrication efficace et fiable. Les transistors DXTN/P 78Q et 80Q présentent une tension BVCEO pouvant atteindre 100 V, un courant continu de 10 A (20 A en crête) et une tension de saturation pouvant descendre à 17 mV, ce qui réduit les pertes par conduction jusqu'à 50 % en permettant des conceptions donnant lieu à un moindre dégagement de chaleur et donc plus efficaces.

Caractéristiques

  • Rendement supérieur
  • Boîtier compact, hautes performances thermiques
  • Large plage d'application
  • Fabrication améliorée et assurance qualité
  • Fiabilité compatible avec les normes automobiles

Applications

  • Commandes de grilles à MOSFET et à IGBT
  • Commutateurs de charge
  • Régulation de tension linéaire
  • Convertisseurs CC-CC
  • Moteurs, solénoïdes, relais et commande d'actionneurs

Transistors associés

Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

Ils sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, pour des produits à densité supérieure.

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Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

Les Transistors bipolaires PNP sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé.

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Application standard

Schéma du circuit d'application - Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q
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Numéro de pièce Fiche technique Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Courant de collecteur continu Produit gain-bande passante fT
DXTN78030DFGQ-7 DXTN78030DFGQ-7 Fiche technique 30 V 9 A 260 MHz
DXTN78060DFGQ-7 DXTN78060DFGQ-7 Fiche technique 60 V 6 A 250 MHz
DXTN78100CFGQ-7 DXTN78100CFGQ-7 Fiche technique 100 V 4 A 210 MHz
DXTN80030DFGQ-7 DXTN80030DFGQ-7 Fiche technique 30 V 10 A 130 MHz
DXTN80060DFGQ-7 DXTN80060DFGQ-7 Fiche technique 60 V 6.5 A 140 MHz
DXTN80100CFGQ-7 DXTN80100CFGQ-7 Fiche technique 100 V 5.5 A 125 MHz
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ-7 Fiche technique 30 V - 6.5 A 315 MHz
DXTP78060DFGQ-7 DXTP78060DFGQ-7 Fiche technique 60 V - 4.5 A 320 MHz
DXTP78100CFGQ-7 DXTP78100CFGQ-7 Fiche technique 100 V - 2.5 A 290 MHz
DXTP80030DFGQ-7 DXTP80030DFGQ-7 Fiche technique 30 V - 7.5 A 190 MHz
Publié le: 2026-02-10 | Mis à jour le: 2026-02-16