STMicroelectronics IGBTs

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement
STMicroelectronics IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
Fiche technique
1 600En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 35 A 32 W - 55 C + 150 C STGF19NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Fiche technique
2 146En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Fiche technique
468En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Fiche technique
411En stock
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Fiche technique
1 012En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 6 A 20 W - 55 C + 150 C STGF6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Fiche technique
2 422En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si STGP10M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Fiche technique
2 336En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 20 A 25 W - 55 C + 150 C STGP10NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Fiche technique
434En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Fiche technique
747En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
Fiche technique
299En stock
1 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Fiche technique
976En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
Fiche technique
1 673En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 14 A 75 W - 55 C + 150 C STGP3NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
931En stock
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
Fiche technique
1 990En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Fiche technique
147En stock
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
Fiche technique
844En stock
800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW20NC60VD Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
560En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGW28IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
70En stock
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V - 20 V, 20 V 30 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Fiche technique
402En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60WD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL MFT
Fiche technique
178En stock
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 55 C + 150 C STGW39NC60VD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Fiche technique
452En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
105En stock
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
1 126En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Fiche technique
Commentaire Produit
394En stock
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Fiche technique
870En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube