STMicroelectronics Les plus récent(e)s IGBTs
Filtres appliqués:
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
05/22/2025
05/22/2025
Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.
STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode
12/24/2024
12/24/2024
Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
07/03/2024
07/03/2024
Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.
STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF
10/31/2023
10/31/2023
Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT série 650 V 80 A HB STGSH80HB65DAG
03/24/2023
03/24/2023
Comprend deux IGBT et diodes dans un boîtier compact, robuste, monté en surface.
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STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
05/22/2025
05/22/2025
Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.
ROHM Semiconductor IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE
01/15/2025
01/15/2025
Présentent une faible tension de saturation collecteur-émetteur et de faibles pertes de commutation.
STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode
12/24/2024
12/24/2024
Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.
ROHM Semiconductor Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V
10/17/2024
10/17/2024
Ils présentent une faible perte de commutation et de conduction et sont idéaux pour les compresseurs électriques et les chauffages HT.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.
IXYS IGBT XPT Gen5
07/25/2024
07/25/2024
Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.
STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
07/03/2024
07/03/2024
Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.
onsemi IGBT de qualité automobile AFGHxL40T
06/12/2024
06/12/2024
Homologué AEC-Q101 et utilise une construction robuste à arrêt de champ en tranchée VII.
onsemi IGBT EcoSPARK® 2 HV-HE FGB5065G2-F085
06/04/2024
06/04/2024
650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04/24/2024
04/24/2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04/12/2024
04/12/2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A
03/01/2024
03/01/2024
IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante.
onsemi Pompes à chaleur
03/01/2024
03/01/2024
La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.
onsemi IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD
02/07/2024
02/07/2024
Ces dispositifs utilisent la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération et la diode Gen7.
Bourns Solutions d'électrification
12/20/2023
12/20/2023
Transformateurs, bobines d'arrêt, résistances et autres produits conçus pour les systèmes utilisés dans l’électrification.
onsemi IGBT discret FGHL40T120RWD 1200 V 40 A
11/29/2023
11/29/2023
Utilise la technologie IGBT 7th-generation et est logé dans un boîtier TO247 3-lead.
onsemi IGBT discret FGHL60T120RWD 1200 V 60 A
11/29/2023
11/29/2023
technologie IGBT 7th-generation avancée et logée dans un boîtier TO247 3-lead.
onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T
11/22/2023
11/22/2023
Ces dispositifs disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII.
onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V
11/13/2023
11/13/2023
Équipé d’une technologie IGBT 7th-generation avancée.
STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF
10/31/2023
10/31/2023
Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.
Littelfuse IGBT à tranchée XPT™ 1 200 V avec diodes acoustiques
10/18/2023
10/18/2023
Développés à l'aide de la technologie XPT à couche mince et du procédé IGBT à tranchée avec des diodes acoustiques anti-parallèles.
onsemi IGBT haut débit FGH4L50T65SQD 50 A 650 V
10/13/2023
10/13/2023
Le dispositif utilise une nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ dans cette série d’IGBT 4th-generation.
onsemi IGBT à arrêt de champ et vitesse intermédiaire FGH4L50T65MQDC50 IG 650 V
08/15/2023
08/15/2023
Utilise la technologie IGBT à arrêt de champ 4th-generation et la technologie de diode SCHOTTKY SiC 1,5.
Nexperia IGBT à arrêt de champ et en tranchée NGWx
08/09/2023
08/09/2023
Combinent des structures de grille en tranchée et d’arrêt de champ stockées en porteuse avec une technologie de troisième génération.
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