Modules IGBT

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Package/Boîte Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Qualification Conditionnement
Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227 23En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 140 A 400 nA 480 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube
Infineon Technologies FP100R12N3T4B80BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 100 A three phase PIM 10En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 100 A Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT EASY 4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N3T4B80BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 75 A three phase PIM 10En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT PP IHM I
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT IGBT 1200V 600A
40Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC
16Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Modules 1.2 kV 1.63 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.6 V 15 A 75 W SDIP2B-26 - 40 C + 125 C Bulk
Infineon Technologies Modules IGBT N-CH 1.7KV 930A
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2 V 930 A 400 nA 4.15 kW PRIME2 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT N-CH 600V 70A
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 600 V 1.45 V 70 A 400 nA 205 W EASY1B - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Dual 1.2 kV 1.5 V 600 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Dual 1.5 V 750 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT MEDIUM POWER 62MM
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module 2.65 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module 2.65 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module 2.65 MW - 40 C + 185 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 4500 V, 1200 A single switch IGBT module
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Dual 2.35 V 1.2 kA 400 nA 2.65 MW - 40 C + 150 C Tray
onsemi Modules IGBT GEN III Q2BOOST 1100V
36Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 2.2 V 80 A 800 nA 279 W Q2BOOST + 175 C Tray
Mitsubishi Electric Modules IGBT IGBT MODULE NF-SERIES DUAL

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 1.4 kA 3 uA 9.375 kW - 40 C + 150 C
Mitsubishi Electric Modules IGBT IGBT MODULE S-SERIES DUAL

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.8 V 300 A 500 nA 2.27 kW - 40 C + 150 C