GCMS Série Modules MOSFET

Résultats: 6
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET Modules 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Fiche technique

GCMS Tube