CSD83325L Série MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Texas Instruments MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT 4 815En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-6 N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 11.9 mOhms - 10 V, 10 V 750 mV 10.9 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L 445En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

Si SMD/SMT BGA-6 N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.9 mOhms - 10 V, 10 V 950 mV 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel