CSD13302W Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Texas Instruments MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT
Fiche technique
4 378En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 710
: 3 000

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 6 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel