EPC FET GaN

Résultats: 56
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Mode canal Nom commercial
EPC FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 2 500
Mult. : 500
: 500

SMD/SMT BGA-75 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 4.9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8 nC, 11 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 2 500
Mult. : 500
: 500

SMD/SMT Die 2 Channel 100 V 30 A 6.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.8 nC, 6.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 12 500
Mult. : 2 500
: 2 500

SMD/SMT BGA N - Channel 2 Channel 120 V 3.4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 12 500
Mult. : 2 500
: 2 500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 100 V 5 A 58 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.85 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 2 500
Mult. : 500
: 500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 160 V 48 A 8 mOhms - 4 V 2.5 V 11.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 12 500
Mult. : 2 500
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 2 A 480 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 133 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET