EPC FET GaN

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Mode canal Nom commercial
EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1 748En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 700En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 14 446En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 4 336En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 14 983En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 4 581En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14 499En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 7 559En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 2 988En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 2 423En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 3 697En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12 369En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 5 814En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1 424En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4 764En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 12 108En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 8 988En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 9 018En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12 334En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 18 465En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11 846En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 500 mA 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4 187En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2 310En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4 500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET