CE7613M4 Série Transistors JFET RF

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Type de transistor
Technologie
Fréquence de fonctionnement
Gain
Vds - Tension de rupture drain-source
Vgs - Tension de rupture grille-source
Id - Courant continu de fuite
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
CEL Transistors JFET RF RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Fiche technique
2 799En stock
Min. : 1
Mult. : 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistors JFET RF RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Fiche technique
12 577En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 15 000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel