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STMicroelectronics Les plus récent(e)s Transistors

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Types de Transistors

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STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

12/24/2024

- Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

09/12/2024

- Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

09/12/2024

- Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07/22/2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

07/03/2024

- Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12/01/2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF

10/31/2023

- Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.

STMicroelectronics Module d'alimlentation M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32

10/19/2023

- Conçu pour l’étage de convertisseur CC-CC des véhicules électriques et hybrides.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08/18/2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

STMicroelectronics IGBT série 650 V 80 A HB STGSH80HB65DAG

03/24/2023

- Comprend deux IGBT et diodes dans un boîtier compact, robuste, monté en surface.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

01/25/2023

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilise la technologie STRipFET F8 et présente une structure améliorée à structure de grille.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N STL320N4LF8

06/21/2022

- Fabriqué selon la technologie MOSFET à tranchée STRipFET F8.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9

05/27/2022

- Pour moyenne/haute tension, disposant d'une RDS(on) très faible par zone, associée à une diode à récupération rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh M9 STP65N045M9

05/25/2022

- Conçu pour les MOSFET moyenne/haute tension disposant d'une RDS(on) très faible par surface.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 16 A STD80N240K6

05/04/2022

- Présente un excellent RDS(on) x zone et un faible Qg, ce qui permet d’atteindre des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

06/03/2025

- Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06/03/2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™

06/03/2025

- MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.

onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)

05/23/2025

- Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.

onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

05/22/2025

- Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.

STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors

05/15/2025

- Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.

Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor

05/15/2025

- 170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.

Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack

05/14/2025

- Les modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.

onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10

05/13/2025

- Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

05/06/2025

- Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.

Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V

05/02/2025

- Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

04/30/2025

- Offrent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant.

onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

04/28/2025

- Dotés d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction.

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