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STMicroelectronics Les plus récent(e)s MOSFET

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STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07/22/2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12/01/2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08/18/2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

01/25/2023

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilise la technologie STRipFET F8 et présente une structure améliorée à structure de grille.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N STL320N4LF8

06/21/2022

- Fabriqué selon la technologie MOSFET à tranchée STRipFET F8.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9

05/27/2022

- Pour moyenne/haute tension, disposant d'une RDS(on) très faible par zone, associée à une diode à récupération rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh M9 STP65N045M9

05/25/2022

- Conçu pour les MOSFET moyenne/haute tension disposant d'une RDS(on) très faible par surface.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 16 A STD80N240K6

05/04/2022

- Présente un excellent RDS(on) x zone et un faible Qg, ce qui permet d’atteindre des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

06/03/2025

- Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06/03/2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10

05/13/2025

- Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

04/30/2025

- Offrent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant.

onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

04/28/2025

- Dotés d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction.

onsemi MOSFET NVTFWS003N04XM

04/28/2025

- Une faible capacité et une faible RDS(on) dans un boîtier à petite empreinte µ8FL, de 3,3 mm x 3,3 mm, homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

04/28/2025

- Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04/21/2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

onsemi MOSFET NVMFWS0D45N04XM

04/17/2025

- MOSFET à grille STD, canal N, simple, 40 V, 469 A, dans un boîtier SO8FL.

onsemi MOSFET NVMFWS1D7N04XM

04/17/2025

- MOSFET à grille STD et canal N simple 154 A, 40 V dans un boîtier SO8FL.

onsemi MOSFET NVTFWS002N04XM

04/17/2025

- Présente une faible résistance RRDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm conforme à la norme AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM

04/17/2025

- Offre une faible RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier SO-8FL de 5 mm x 6 mm homologué AEC-Q101.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04/16/2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

04/14/2025

- MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V

04/11/2025

- Dispose d’une faible résistance RDS(on) de pointe, de performances de commutation améliorées et d’un excellent comportement EMI.

Renesas Electronics MOSFET de puissance REXFET-1 100 V et 150 V

03/21/2025

- Utilise la technologie à grille divisée avec des pattes de flanc mouillables, idéale pour les applications à courant élevé.

onsemi Vision des machines

03/18/2025

- Une large gamme de solutions de capteurs d'images, du VGA au 45 MP, pour les besoins de vision industrielle.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

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