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STMicroelectronics Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDAxWY

01/10/2025

- Suppresseurs de tension transitoire (TVS) conçus pour protéger l’électronique sensible dans des environnements difficiles.

STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

12/24/2024

- Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

STMicroelectronics Diode TVS ligne unique bidirectionnelle ESDZX168B-1BF4

10/14/2024

- Le dispositif est conçu pour protéger les lignes de données ou d’autres ports E/S contre les transitoires ESD.

STMicroelectronics Module pont ultra-rapide 600 V STTH120RQ06-M2Y

10/08/2024

- Convient à une utilisation dans des applications de chargeur, soit intégrée au véhicule, soit dans une station de chargement.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

09/12/2024

- Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

09/12/2024

- Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDA5WY

09/10/2024

- Suppresseur de tension transitoire (TVS) unidirectionnel automobile développé pour les environnements difficiles.

STMicroelectronics Redresseur haute tension automobile STBR3012L2Y-TR

08/09/2024

- Conception de haute qualité avec des caractéristiques reproductibles constantes et une robustesse intrinsèque.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07/22/2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

07/03/2024

- Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12/01/2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF

10/31/2023

- Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.

STMicroelectronics Module d'alimlentation M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32

10/19/2023

- Conçu pour l’étage de convertisseur CC-CC des véhicules électriques et hybrides.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08/18/2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics Diodes de puissance Schottky à tranchée STPSTxH100/Y

06/29/2023

- Respect des exigences d’efficacité à des fréquences de commutation élevées.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

STMicroelectronics IGBT série 650 V 80 A HB STGSH80HB65DAG

03/24/2023

- Comprend deux IGBT et diodes dans un boîtier compact, robuste, monté en surface.

STMicroelectronics Suppresseurs de tension transitoire 5 000 W SM50TxAY

03/17/2023

- Conçus pour protéger les circuits automobiles sensibles des surtensions définies dans la norme ISO 7637-2.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

01/25/2023

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

STMicroelectronics Redresseur ultra-rapide haute tension STTH30RQ06L2

01/09/2023

- Logé dans un boîtier HU3PAK, il s’agit d’un composant 600 V, 30 A qui utilise la technologie 600 V STM.

STMicroelectronics SCR de grille sensibles X040 et TRIAC Z040

11/08/2022

- Dispositifs 750 V, 4 A bien adaptés aux appareils électroménagers, aux outils électriques et aux systèmes industriels.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

STMicroelectronics Triac 50 A T5035H-8PI

09/21/2022

- Logé dans un boîtier isolé TOP3 et conçu pour fonctionner à 800 V et 150 °C.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™

06/03/2025

- MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.

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