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Vishay Semiconductors Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

Les diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium (SiC) de Vishay semiconducteurs sont des redresseurs avancés haute performance conçus pour offrir une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Conçues à partir de la technologie SiC à large bande interdite, ces diodes Vishay offrent une charge de récupération inverse pratiquement nulle, une capacité de commutation extrêmement rapide et une performance qui ne varie pas en fonction de la température., ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les systèmes de conversion de puissance haute fréquence de nouvelle génération.

Ces dispositifs supportent des températures de fonctionnement de jonction élevées jusqu'à +175°C, assurant un fonctionnement stable dans des environnements thermiques difficiles tels que les systèmes industriels, automobiles et d'énergies renouvelables. Le coefficient de température positif de la tension directe permet une mise en parallèle facile, améliorant l’évolutivité et l’équilibrage thermique dans les conceptions à courant élevé.

Conçues pour la durabilité, les diodes SCHOTTKY SiC de Vishay présentent un faible courant de fuite, une capacité de courant de surtension élevée et des pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles. Ces caractéristiques optimisent l'efficacité des étapes PFC AC/DC, des redresseurs haute fréquence, des convertisseurs résonnants LLC, des convertisseurs CC/CC, des systèmes UPS, des infrastructures de télécommunications, des alimentations de serveurs et des plateformes de convertisseurs solaires.

Disponibles dans une large gamme de valeurs de courant (de 4 A à 200 A) et de capacités de tension inverse d'environ 650 V, ces diodes offrent une flexibilité à travers diverses étapes de puissance. Le boîtier D2PAK 2L (TO-263AB 2L) permet une intégration transparente dans des conceptions à facteur de forme réduit ou des ensembles industriels haute puissance.

Dans la famille, Vishay met l’accent sur la fiabilité à long terme, en proposant des variantes qualifiées AEC-Q101, une construction conforme à la norme RoHS, des matériaux sans halogène et des options de modules approuvées UL. Ces caractéristiques rendent les diodes parfaitement adaptées aux applications critiques nécessitant une longue durée de vie, une stabilité thermique et une efficacité exceptionnelles.

Caractéristiques

  • Coefficient de température VF positif pour mise en parallèle facile
  • Pratiquement aucune queue de récupération et aucune perte de commutation
  • Comportement de commutation à température constante
  • Configuration à circuit unique
  • Faible courant de fuite
  • Robuste, capacité de surtension élevée
  • Faible capacité de jonction
  • Récupération inverse rapide et stable
  • Température de fonctionnement de jonction maximale de +175 °C
  • Qualifié AEC-Q101, répond à l’essai de test de barbes de classe 2 JESD 201 (P/NHM3)
  • Répond à l’essai de test de barbes de classe 1 A JESD 201 (non automobile)
  • Répond au niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 selon la norme J-STD-020, pic de température maximum LF de +245 °C
  • Boîtier D2PAK 2L (TO-263AB 2L)
  • Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Circuits de correction du facteur de puissance (PFC)
  • Redressement à haute fréquence
  • convertisseurs résonnants LLC
  • Convertisseurs CC/CC
  • Systèmes de convertisseur solaires
  • Systèmes d'alimentation électrique ininterrompue (ASI)
  • Équipements électriques de télécommunications
  • Alimentations électriques de serveur
  • Applications affectées par le comportement de récupération ultra-rapide du silicium

Caractéristiques techniques

  • Options de tension inverse de 650 V ou 1 200 V
  • Plage de courant inverse de 35 µA à 550 µA
  • Plage de tension directe de 1,3 V à 1,36 V
  • Plage de courant de surtension directe de 39 A à 180 A
  • Plage de courant direct de 6 A à 30 A
  • Plage de dissipation d'énergie de 59 W à 375 W
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
  • Fils étamés mats, soudables selon les normes J-STD-002 et JESD 22-B102

Schéma

Schéma - Vishay Semiconductors Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
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Numéro de pièce Fiche technique If - Courant direct Ir - Courant inverse Pd - Dissipation d’énergie Vf - Tension directe Vr - Tension inverse
VS-4C06ET07S2LHM3 VS-4C06ET07S2LHM3 Fiche technique 6 A 35 uA 59 W 1.3 V 650 V
VS-4C06ET07S2L-M3 VS-4C06ET07S2L-M3 Fiche technique 6 A 35 uA 59 W 1.3 V 650 V
VS-4C20CP07L-M3 VS-4C20CP07L-M3 Fiche technique 10 A 50 uA 101 W 1.3 V 650 V
VS-4C20CP07LHM3 VS-4C20CP07LHM3 Fiche technique 10 A 50 uA 101 W 1.3 V 650 V
VS-4C20ET07S2L-M3 VS-4C20ET07S2L-M3 Fiche technique 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C20ET07S2LHM3 VS-4C20ET07S2LHM3 Fiche technique 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C20ET07T-M3 VS-4C20ET07T-M3 Fiche technique 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C20ET07THM3 VS-4C20ET07THM3 Fiche technique 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C30E3P07L-M3 VS-4C30E3P07L-M3 Fiche technique 30 A 125 uA 273 W 1,33 V 650 V
VS-4C30ET07S2L-M3 VS-4C30ET07S2L-M3 Fiche technique 30 A 125 uA 167 W 1.33 V 650 V
Publié le: 2026-01-30 | Mis à jour le: 2026-02-06