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Vishay / Siliconix MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET ® automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 VDS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% Rg et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Qgd/Qgs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible RDS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK® SO-8L avec des configurations simples/doubles.   Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.

Caractéristiques

  • TrenchFET® Gen IV puissance MOSFET
  • Qualifié AEC-Q101
  • 100 % testé à Rg et UIS
  • Le rapport Qgd/Qgs <1 optimise les caractéristiques de commutation
  • Température de jonction en fonctionnement et de stockage -55 °C à +175 °C 
  • Disponible en boîtier PowerPAK® SO-8L avec configurations simples/doubles  

Applications

  • Automobile
  • Gestion de batteries
  • Gestion du moteur
  • Entraînements et commandes de moteur

MOSFET associés

Vishay / Siliconix MOSFET 100 V à canal P automatique SQJ211ELP

Dispose d'un courant drain-source de -100 VDS dans un boîtier PowerPAK® SO-8L avec des fils de papillon.

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Vishay / Siliconix MOSFET automobiles SQJA

MOSFET de puissance TrenchFET® homologués AEC-Q101 disponibles avec canal N ou canal P.

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Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.

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Composants pour SMPS, conditionnement du signal d'entrée, étage de puissance et fonctions de communication du véhicule.

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Numéro de pièce Fiche technique Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 30 V 437 A 1.158 mOhms 99 nC
SQJ116EP-T1_GE3 SQJ116EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 100 V 37 A 64 mOhms 84 nC
SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 40 V 90 A 12.5 mOhms 85 nC
SQJ570EP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 Fiche technique 2 Channel 100 V 9.5 A, 15 A 45 mOhms, 146 mOhms 9 nC, 12 nC
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Fiche technique 2 Channel 60 V 8 A 30 mOhms, 30 mOhms 20 nC
SQJ886EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 40 V 60 A 3.6 mOhms 65 nC
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 60 V 63 A 16.3 mOhms 12 nC
SQJ110EP-T1_GE3 SQJ110EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 100 V 170 A 6.3 mOhms 75 nC
SQJ140EP-T1_GE3 SQJ140EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 40 V 266 A 1.7 mOhms 49.2 nC
SQJ158EP-T1_GE3 SQJ158EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 60 V 23 A 27.2 mOhms 30 nC
Publié le: 2020-10-05 | Mis à jour le: 2024-12-13