Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
Les HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA de Nexperia sont des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels de 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Le GANB1R2-040QBA est proposé dans un boîtier VQFN (Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead). Le GANB1R2-040QBA est un dispositif e-mode normalement éteint offrant des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Le GANB012-040CBA de Nexperia est disponible dans un boîtier WLCSP (Wafer-Level Chip Scale). Le GANB012-040CBA est un dispositif e-mode normalement éteint qui offre des performances supérieures.
Caractéristiques
- Mode d'amélioration - commutateur d'alimentation normalement éteint
- Composant bidirectionnel
- Capacité de retard de commutation ultra-élevée
- Résistance à l'état passant ultra-basse
- Sans Pb, conforme aux directives RoHS et REACH
- Haut rendement et haute densité de puissance
- Boîtier WLCSP (Wafer-Level-Chip-Scale Package) de 1,2 mm x 1,7 mm (GANB012-040CBA)
- Boîtier VFQN (Very-Thin-Profile Quad Flat No-lead) de 4,0 mm x 6,0 mm (GANB1R2-040QBA)
Applications
- Commutateur de charge côté haut
- Protection OVP dans l'accès USB du smartphone
- Circuits de commutateur d'alimentation
- Système d'alimentation en veille
Fiches techniques
Brochage du GANB012-040CBA
Brochage du GANB1R2-040QBA
Publié le: 2025-06-25
| Mis à jour le: 2025-07-14