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ROHM Semiconductor Suppresseurs de tension transitoire VSxUA1LBTBR1

ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 Transient Voltage Suppressors are high-reliability TVS diodes. These voltage suppressors feature a 600W peak pulse power and 150°C junction temperature. The VSxUA1LBTBR1 transient voltage suppressors include a Silicon epitaxial planar structure. These TVS diodes come in a small power mold type with a DO-214AA (SMB) package. These transient voltage suppressors are ideal for surge protection applications.

Caractéristiques

  • Structure planaire épitaxiale en silicium
  • Haute fiabilité
  • 600 W puissance d'impulsions de crête
  • Type de moule de petite taille

Applications

  • Protection contre les surtensions
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Numéro de pièce Fiche technique Tension de service Blocage de la tension Tension de rupture Ipp - courant d'impulsion de crête
VS10VUA1LBTBR1 VS10VUA1LBTBR1 Fiche technique 10 V 17 V 11.1 V 35.3 A
VS11VUA1LBTBR1 VS11VUA1LBTBR1 Fiche technique 11 V 18.2 V 12.2 V 33 A
VS12VUA1LBTBR1 VS12VUA1LBTBR1 Fiche technique 12 V 19.9 V 13.3 V 30.2 A
VS14VUA1LBTBR1 VS14VUA1LBTBR1 Fiche technique 14 V 23.2 V 15.6 V 25.9 A
VS15VUA1LBTBR1 VS15VUA1LBTBR1 Fiche technique 15 V 24.4 V 16.7 V 24.6 A
VS16VUA1LBTBR1 VS16VUA1LBTBR1 Fiche technique 16 V 26 V 17.8 V 23.1 A
VS17VUA1LBTBR1 VS17VUA1LBTBR1 Fiche technique 17 V 27.6 V 18.9 V 21.7 A
VS18VUA1LBTBR1 VS18VUA1LBTBR1 Fiche technique 18 V 29.2 V 20 V 20.5 A
VS20VUA1LBTBR1 VS20VUA1LBTBR1 Fiche technique 20 V 32.4 V 22.2 V 18.5 A
VS22VUA1LBTBR1 VS22VUA1LBTBR1 Fiche technique 22 V 35.5 V 24.4 V 16.9 A
Publié le: 2024-05-24 | Mis à jour le: 2025-06-17