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ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

Les diodes à récupération ultra-rapide de ROHM Semiconductor sont conçues pour améliorer l'efficacité des alimentations à découpage. Ces diodes sont dotées d'une  structure planaire épitaxiale en silicium, et présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation. Ces diodes RFNxLBxS sont idéales pour les applications de redressement général.

Caractéristiques

  • Tension inverse de crête répétitive :
    • 400 V (RFN2LB4S et RFN3LB4S)
    • 600 V (RFN2LB6S et RFN3LB6S)
  • Courant direct rectifié moyen :
    • 2 A (RFN2LB4S et RFN2LB6S)
    • 3 A (RFN3LB4S et RFN3LB6S)
  • Courant de surtension direct de crête :
    • 35 A (RFN2LB6S et RFN3LB6S)
    • 55 A (RFN2LB4S et RFN3LB4S)
  • Type de moule à faible puissance
  • Tension directe faible
  • Faible perte en commutation
  • Idéal pour le redressement général

Schéma mécanique

Plan mécanique - ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

Diode associée

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF302LB2S

Offre une tension directe et des pertes de commutation faibles dans un boîtier DO-214AA.

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Numéro de pièce Fiche technique If - Courant direct Courant de surtension max. Vf - Tension directe Vr - Tension inverse Délai de reprise
RF302LB2STBR1 RF302LB2STBR1 Fiche technique 3 A 80 A 840 mV 16 ns
RFN2LB4STBR1 RFN2LB4STBR1 Fiche technique 2 A 55 A 930 mV 400 V 22 ns
RFN2LB6STBR1 RFN2LB6STBR1 Fiche technique 2 A 35 A 1.3 V 600 V 16 ns
RFN3LB4STBR1 RFN3LB4STBR1 Fiche technique 3 A 55 A 980 mV 400 V 22 ns
RFN3LB6STBR1 RFN3LB6STBR1 Fiche technique 3 A 35 A 1.4 V 600 V 16 ns
Publié le: 2025-06-12 | Mis à jour le: 2025-07-14