ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 19 A à canal N R8019KNXC7G 800 V

Les MOSFET de puissance à 19 A canal N R8019KNXC7G 800 V de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l’état passant avec commutation rapide. Ce MOSFET de puissance se caractérise par un R_{DS (on)}de 0,265 Ω (maximum), d’une dissipation de puissance de 83 W et d’une plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C. Le R8019KNXC7G Nch 800 V 19 A est fourni avec un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Ce MOSFET de puissance dispose d’une utilisation parallèle facile à utiliser ; il est idéalement utilisé dans les applications de commutation.