Qorvo Transistors 750 W QPD1028 et QPD1028L au GaN sur carbure de silicium (SiC)
Les transistors GaN sur SiC QPD1028 et QPD1028L 750 W de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d’électrons (HEMT) au nitrure de Gallium sur carbure de silicium (SiC) fonctionnant entre 1,2 GHz et 1,4 GHz. Ces composants fournissent 59 dBm de puissance de sortie saturée, avec 18 dB de gain des signaux forts et 70 % de rendement de drain. Les transistors QPD1028 et QPD1028L sont préadaptés en interne pour améliorer leurs performances et peuvent fonctionner en mode onde entretenue (CW) comme en mode pulsé.
Les transistors GaN sur SiC QPD1028 et QPD1028L de Qorvo sont encapsulés dans des boîtiers à cavité d'air normalisés NI-780 et sont idéalement adaptés aux applications de radar. Le boîtier QPD1028L comprend une bride à oreilles pour implantation par vissage.
Caractéristiques
- Plage de fréquence : de 1,2 GHz à 1,4 GHz
- Puissance de sortie saturée (PSAT) : 59 dBm
- Rendement de drain : 70 % à PSAT
- Gain des signaux forts : 18 dB à PSAT
- Polarisation : VDS= +65 V, IDQ= 750 mA
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C
- Boîtier NI-780 20,57 mm x 9,78 mm x 3,63 mm
- Sans halogènes, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Radar en bande L
- Bande industrielle, scientifique et médicale (ISM)
Fiche technique
Outils de développement
Qorvo Cartes d'évaluation pour QPD1028 et QPD1028L
Plateformes de démonstration et de développement pour les transistors GaN sur SiC 750 W QPD1028 et QPD1028L.
Diagramme
Profil du boîtier du QPD1028
Profil du boîtier QPD1028L
Publié le: 2021-12-09
| Mis à jour le: 2022-03-15