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onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1

Les transistors bipolaires BC846BPDW1 d'onsemi sont des transistors doubles à usage général conçus pour les applications à montage en surface à faible puissance. Ces transistors NPN/PNP sont logés dans le boîtier SOT-363/SC-88. Les transistors bipolaires BC846BPDW1 sont homologués AEC-Q101, compatibles PPAP et disponibles en boîtier sans plomb. Ces transistors PNP NPN sont sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS. Les transistors bipolaires sont idéaux pour les applications à montage en surface à faible puissance.

Caractéristiques

  • Transistors à usage général PNP NPN doubles
  • Logés dans le boîtier SOT-363/SC-88
  • Conçus pour les applications à montage en surface à faible puissance
  • Préfixe « S » pour l’automobile et d’autres applications nécessitant un site et des exigences de changement de contrôle uniques
  • Certifiés AEC-Q101 et compatibles PPAP
  • Sans plomb, sans halogène, sans BFR et conformes à la directive RoHS

Applications

  • Applications à montage en surface à faible puissance

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1
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Numéro de pièce Fiche technique Tension de saturation collecteur-émetteur Gain de courant CC hFE max. Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
SBC846BPDW1T2G SBC846BPDW1T2G Fiche technique 600 mV, 650 mV 475 200
SBC846BPDW1T3G SBC846BPDW1T3G Fiche technique 800 200
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G Fiche technique 600 mV, 650 mV 475 at 2 mA, 5 V 200 at 2 mA, 5 V
BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Fiche technique 600 mV, 650 mV 150
SSVBC846BPDW1T1G SSVBC846BPDW1T1G Fiche technique 250 mV, 300 mV 475 200
Publié le: 2024-10-07 | Mis à jour le: 2024-10-28