LCS MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
235En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET
Fiche technique
3 883En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 23 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 12.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET -40, -22, Single P-Channel
Fiche technique
8 246En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 22 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 48 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 12.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si Reel