Microchip Power MOS 7 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-247
Fiche technique
520En stock
74Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Power MOS 7 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX
Fiche technique
Non stocké
Min. : 30
Mult. : 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 800 V 38 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 195 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement Power MOS 7 Tube