EPC FET GaN

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Mode canal Nom commercial
EPC FET GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4 187En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2 180En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4 500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12 178En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 8 185En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 11 051En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2 468En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2 928En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1 998En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4 019En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2 500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 7 490En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 14 871En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4 950En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 1 942En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2 460En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 3 858En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 334En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 2 500
Mult. : 500
: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 12 500
Mult. : 2 500
: 2 500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25 Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 1 000
: 1 000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 1 000
: 1 000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET