297 Modules IGBT

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray