QPD1025 FET GaN

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs - Tension grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Fiche technique
13En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo FET GaN 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W
Qorvo FET GaN DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 100 V 610 mA - 40 C + 85 C 17.5 W