AEC-Q200 Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini)
Fiche technique
7 483En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
Fiche technique
8 075En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
Fiche technique
7 007En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
Fiche technique
2 864En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
Fiche technique
5 892En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
Fiche technique
24 969En stock
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SOT-323-3
Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323
Fiche technique
3 830En stock
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SOT-323-3
Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
Fiche technique
8 830En stock
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SOT-323-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
Fiche technique
6 250En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
Fiche technique
5 658En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
Fiche technique
8 420En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
Fiche technique
5 962En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
Fiche technique
1 254En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
Fiche technique
4 629En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
Fiche technique
7 757En stock
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
4 730En stock
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
5 810En stock
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Fiche technique
5 942En stock
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Fiche technique
15 709En stock
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
2 716En stock
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Fiche technique
15 827En stock
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
2 700En stock
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Fiche technique
5 432En stock
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
9 793En stock
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: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
5 999En stock
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: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3