STMicroelectronics Semiconducteurs discrets

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
STMicroelectronics Diodes de protection ESD / diodes TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
Fiche technique
4 830En stock
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: 2 500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodes de protection ESD / diodes TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
Fiche technique
4 199En stock
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: 5 000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
2 258En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR
Fiche technique
6 469En stock
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SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
675En stock
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Min. : 1
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: 2 500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
230En stock
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
222En stock
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Fiche technique
940En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Fiche technique
1 000En stock
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Fiche technique
2 061En stock
5 000Sur commande
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: 5 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT SMBF-2
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Fiche technique
1 000En stock
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SiC Schottky Diodes

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
Fiche technique
1 017En stock
1 000Sur commande
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Diodes de protection ESD / diodes TVS 5000 W, 100 V TVS in SMC
Fiche technique
2 374En stock
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: 2 500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
Fiche technique
1 629En stock
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
Fiche technique
2 315En stock
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
110En stock
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: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5


STMicroelectronics Diodes et redresseurs Schottky Pwr Schottky 2X20A 120V 0.46VF
Fiche technique
994En stock
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole
STMicroelectronics Modules MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
Fiche technique
36En stock
18Sur commande
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MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics Modules MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
Fiche technique
18En stock
18Sur commande
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Mult. : 1

MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics Diodes de protection ESD / diodes TVS Automotive dual-line unidirectional 12 V ESD protection in SOT323
Fiche technique
33 675En stock
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: 3 000

SOT-323-3
STMicroelectronics Modules MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
Fiche technique
122En stock
125Sur commande
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Mult. : 1

MOSFET Modules SiC Press Fit ACEPACK DMT-32
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
635En stock
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
745En stock
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: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Fiche technique
418En stock
600Sur commande
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Mult. : 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
968En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7