IXTA2N100P-TRL

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N° Mouser :

747-IXTA2N100P-TRL

N° de fab. :

IXTA2N100P-TRL

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET IXTA2N100P TRL

Fiche technique:

IXTA2N100P-TRL Fiche technique

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	24.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	86 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Polar
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	27 ns
Transconductance directe - min.:	1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	29 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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IXTA2N100P-TRL

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