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Toshiba MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

10/14/2024

- Logé dans un boîtier L-TOGL™ pour répondre à la demande croissante en batteries 48 V dans les équipements automobiles.

Toshiba MOSFET à canal N en silicium TKx

09/13/2024

- Disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI, caractéristiques de performance exceptionnelles.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium TPH1400CQ5

09/10/2024

- MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec le procédé de fabrication à tranchée de génération U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium TPH1100CQ5

08/12/2024

- Dispose d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec un processus de tranchée de génération U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium UMOS9-H

05/13/2024

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension à découpage, les pilotes de moteur .

Toshiba MOSFET SSM14N956L

06/09/2023

- Dispose d'une faible résistance à l'enclenchement source-source et est compatible avec la directive RoHS.

Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

02/13/2023

- Offre une RDS(ON) de 0,23 mΩ (standard) et unetension de seuil (Vth) de 2 V à 3 V, avec une capacité de 400 A.

Toshiba MOSFET au carbure de silicium de 3e génération 650 V et 1200 V

07/11/2022

- Conçus pour des applications industrielles de haute puissance, comme les alimentations électriques AC-DC d'entrée CA de 400 V et 800 V.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™

06/03/2025

- MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.

Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

06/03/2025

- Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06/03/2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)

05/23/2025

- Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.

STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

05/22/2025

- Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.

Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor

05/15/2025

- 170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.

Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors

05/15/2025

- Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.

Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack

05/14/2025

- Les modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.

onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10

05/13/2025

- Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

05/06/2025

- Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.

Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V

05/02/2025

- Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

04/30/2025

- Offrent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant.

onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

04/28/2025

- Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.

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