Les plus récent(e)s Transistors

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
09/09/2025
Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
07/03/2025
Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
07/03/2025
HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
07/01/2025
Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
06/30/2025
Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.
Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
06/23/2025
Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
06/23/2025
Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
06/16/2025
Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
06/09/2025
Affiche des valeurs RDS(on)  faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
06/04/2025
MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™
Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™
06/03/2025
MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.
Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V
06/03/2025
Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.
onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)
onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)
05/23/2025
Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1
05/22/2025
Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
05/22/2025
Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack
Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack
05/14/2025
Les modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.
onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10
onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10
05/13/2025
Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
05/02/2025
Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V
04/30/2025
Offrent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant.
onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM
onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM
04/28/2025
Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.
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