Les plus récent(e)s Diodes et redresseurs

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Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065LP
Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065LP
02/20/2025
Présentent une stabilité de fuite inverse supérieure à des températures élevées dans un boîtier DFN8080.
Diodes Incorporated Redresseurs passivés au verre SxCMHQ AEC-Q101
Diodes Incorporated Redresseurs passivés au verre SxCMHQ AEC-Q101
06/04/2024
Offrent une capacité de courant élevé et une faible chute de tension directe.
Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065/DSCxC065
Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065/DSCxC065
02/23/2023
Disposent d'une excellente stabilité de fuite inverse à des températures élevées.
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3Z1BD2CSP
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3Z1BD2CSP
01/31/2023
Dispositif 0,3 pF de protection ESD à faible capacité ESD  pour protéger les lignes différentielles à haut débit.
Diodes Incorporated Redresseur à récupération standard 5,0 A S5KP5M
Diodes Incorporated Redresseur à récupération standard 5,0 A S5KP5M
12/13/2022
Redresseur passivé au verre 5,0 A logé dans un boîtier PowerDI®5.
Diodes Incorporated Redresseurs à récupération standard S1MSWFM et S1MSWFMQ
Diodes Incorporated Redresseurs à récupération standard S1MSWFM et S1MSWFMQ
12/13/2022
Logés dans un boîtier SOD123F, ils fournissent une capacité de courant et de tension de rupture inverse élevée.
Diodes Incorporated Redresseur à récupération standard S1MWFM
Diodes Incorporated Redresseur à récupération standard S1MWFM
12/13/2022
Conditionné dans un boîtier SOD123F (Type B) à profil mince et facteur de forme réduit.
Diodes Incorporated Redresseurs à récupération rapide RS1MSWFM et RS1MSWFMQ
Diodes Incorporated Redresseurs à récupération rapide RS1MSWFM et RS1MSWFMQ
12/13/2022
Logés dans un boîtier SOD123F (Type B), ils fournissent un temps de récupération rapide pour un haut rendement.
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Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q
Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q
07/03/2025
Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.
Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H
Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H
07/03/2025
Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.
ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide
ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide
07/02/2025
Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.
ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité
ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité
07/01/2025
Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06/30/2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR
ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR
06/30/2025
Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.
Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P
Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P
06/27/2025
Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.
Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P
Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P
06/27/2025
Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP. 
Littelfuse Diodes TVS DFNAK3
Littelfuse Diodes TVS DFNAK3
06/23/2025
Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8
ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8
06/18/2025
Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.
Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG
Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG
06/04/2025
22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.
Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG
Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG
06/04/2025
Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.
Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®
Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®
06/03/2025
Redresseurs hyperrapides de 1 200 V, 1 A ou 2 A dans un boîtier SlimSMA HV (DO-221AC).
Littelfuse Diodes TVS 5.0SMDJ-FB
Littelfuse Diodes TVS 5.0SMDJ-FB
05/21/2025
Designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transient events.
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
05/20/2025
Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES3D
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES3D
05/07/2025
Redresseur 200 V, 3 A avec une haute capacité de surtension directe, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1D
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1D
05/07/2025
Redresseur de 200 V, 1 A avec une forte capacité de surtension, encapsulé dans un boîtier SOD1001-1 SMA.
Nexperia Redresseur à récupération hyperrapide ES2D
Nexperia Redresseur à récupération hyperrapide ES2D
05/07/2025
Redresseur de 200 V, 2 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SOD1002-1 SMB.
APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes
APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes
05/06/2025
Delivers superior power handling, high-frequency/-temp operation, and reduced capacitive charge.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1B
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1B
05/02/2025
Redresseur 100 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1J
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1J
05/02/2025
Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Bourns Diode TVS de puissance à courant élevé PTVS3-066C-TH
Bourns Diode TVS de puissance à courant élevé PTVS3-066C-TH
04/30/2025
Diode capable de supporter des surtensions de 8/20 µs à 3 kA, conçue pour une utilisation dans des applications d’écrêtage de bus CC haute puissance.
Nexperia Redresseur de récupération GS10M
Nexperia Redresseur de récupération GS10M
04/28/2025
Redresseur de 1 000 V, 10 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.
Nexperia Redresseur à récupération rapide FR2M
Nexperia Redresseur à récupération rapide FR2M
04/28/2025
Redresseur de 1 000 V, 2 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMB SOD1002-1.
Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US1J
Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US1J
04/28/2025
Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
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