.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Texas Instruments Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

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Texas Instruments Diode de protection DES MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1

03/18/2025

- DES bidirectionnel à double canal ou unidirectionnel à canal unique dans une configuration de cathode commune.

Texas Instruments Diode DES à faible capacité ESD501/ESD501-Q1

03/18/2025

- Proposée dans un boîtier conforme à la norme industrielle 0402 et offre un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes régulatrices de Tension Zener BZX84Cx/BZX84Cx-Q1

03/11/2025

- Ces dispositifs offrent une dissipation d'énergie totale de 250 mW (max.) et une tolérance de ±5 %.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD801/ESD801-Q1

01/29/2025

- Disponibles dans le boîtier standard de l'industrie 0402 et offrent un niveau de protection IEC 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD701/ESD701-Q1

01/29/2025

- Proposées dans le boîtier 0402 standard de l'industrie et offrent un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes TVS bidirectionnelles TSDxxC/TSDxxC-Q1

12/23/2024

- Ces dispositifs sont conçus pour les clamp >>> serre-câbles (if appropriate) transitoires nuisibles tels que DES et surtension.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD851/ESD851-Q1

11/05/2024

- Ce dispositif est conçu pour fixer les transitoires nuisibles tels que les DES et la surtension.

Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 Diodes de protection DES

11/05/2024

- Disponibles dans un boîtier standard de l'industrie 0402 et offrent un niveau de protection IEC 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diode de protection TVS bidirectionnelle 36 V TSM36CA

09/17/2024

- Le dispositif est conçu pour bloquer les transitoires nuisibles tels que les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions.

Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1 Diodes bidirectionnelles ESD et TVS

06/17/2024

- Conçues pour dissiper les décharges électrostatiques au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme IEC 61000-4-2

Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 diodes de protection ESD

05/07/2024

- Diodes bidirectionnelles à 2 canaux disponibles dans un petit boîtier plombé SOT-23 (DBZ).

Texas Instruments ESD2CANx-Q1 Diodes de protection ESD

05/06/2024

- Diodes bidirectionnelles à 2 canaux pour l'automobile, pour la protection de l'interface du réseau CAN (Controller Area Network).

Texas Instruments Diode de protection DES ESD562/ESD562-Q1

04/23/2024

- Conçue pour dissiper les décharges DES au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme CEI 61000-4-2.

Texas Instruments Diode de protection bidirectionnelle contre les décharges électrostatiques et les surtensions ESDS552

04/23/2024

- Conçue pour dissiper les décharges électrostatiques au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme IEC 61000-4-2.

Texas Instruments Diode de protection unidirectionnelle contre les surtensions TSM24B

12/19/2023

- Ce composant permet de dériver jusqu’à 20 A de courant de défaut CEI 61000-4-5.

Texas Instruments Diode TVS unidirectionnelle TSM24A/TSM24A-Q124 V

11/13/2023

- Jusqu’à 60 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour assurer une protection contre les tensions transitoires ou les décharges de foudre à haute puissance.

Texas Instruments Diode TSM24CA/TSM24CA-Q1 TVS bidirectionnelle 24 V

11/13/2023

- Jusqu’à 30 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour assurer une protection contre la foudre ou les transitoires à haute puissance.

Texas Instruments Dispositifs de protection contre les surtensions TSD05/TSD05C/TSD36C

09/19/2023

- Ces dispositifs sont conçus pour bloquer les transitoires nuisibles tels que les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions.

Texas Instruments Diode de protection DES ±30 kV ESD451

08/10/2023

- Une diode de protection DES bidirectionnelle pour protéger les lignes de données et d'autres ports E/S.

Texas Instruments Dispositif de protection DES ±30 kV ESD441

08/10/2023

- Une diode de protection DES unidirectionnelle pour protéger les lignes de données et d'autres ports E/S.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1

02/09/2023

- Dispositif de protection DES bidirectionnel monocanal à faible capacité pour le réseau d'interconnexion local (LIN).

Texas Instruments Réseau Darlington 8 canaux 50 V 500 mA ULN2803C

02/06/2023

- Dispose de sorties à haute tension avec diodes à limitation cathode commune pour les charges inductives de commutation.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD751/Q1 et ESD761/Q1

02/02/2023

- Dispositifs de protection DES bidirectionnels monocanal à faible capacité pour alimentation USB (USB-PD).

Texas Instruments Diode de protection contre les surtensions TVS TSM36A

01/05/2023

- Shunts robustes jusqu'à 41 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour protéger les systèmes des transitoires élevés.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANxx24/ESD2CANxx24-Q1

12/23/2022

- Les diodes sont bidirectionnelles et créées pour la protection d'interface CAN (Controller Area Network).

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

06/03/2025

- Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.

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