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Panjit Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04/21/2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT SBA Automotive Super Schottky Rectifiers

04/09/2025

- Offer 0.45V to 0.53V surface mount extreme low forward voltage drop with a 1A to 2A current rating.

PANJIT PE47xxL1Q High Surge ESD Protection

11/28/2024

- Enhances component capability and resists EOS events in a DFN1610-2L package.

PANJIT MBR10H TO-277C Schottky Barrier Rectifiers

11/28/2024

- Surface mount (SMD) H-type Schottky devices with ultra-low insulation resistance (IR).

PANJIT Gen.2 ESD Protection Diodes

09/13/2024

- Smart ESD protection diodes for high-speed data lines.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09/04/2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09/03/2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08/29/2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08/29/2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT KBJB Low Profile Bridge Rectifiers

08/29/2024

- Devices feature a maximum junction temperature (Tj) of 150℃ with a current rating of 10A or 15A.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT MBRxH60AFC-AU Schottky Barrier Rectifiers

06/18/2024

- Offer high efficiency and feature high surge current capability.

PANJIT PGRx16PT General-Purpose Rectifiers

06/17/2024

- Designed with inrush current and high voltage capability in the TO-247AD-2LM package.

PANJIT MSR2DAFC Hyper-Fast Recovery Rectifier

06/17/2024

- Designed with Trr under 20ns for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PE1403M1Q ESD Protection Diode

05/23/2024

- Features low leakage current, ultra-low capacitance, and low clamping voltage.

PANJIT MSRxDAL Hyper Fast Recovery Rectifiers

05/23/2024

- Feature fast recovery time (Trr) for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04/12/2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04/11/2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT PZS52CxM1Q Silicon Zener Diodes

04/11/2024

- Features a planar die construction and are ideal for automated assembly processes.

PANJIT PJMBZ ESD Protection Diodes

02/19/2024

- Designed to protect sensitive equipment against ESD and prevent latch-up events.

PANJIT S5xB Surface Mount General-Purpose Rectifiers

01/19/2024

- Converts an alternating current (AC) voltage into a direct current (DC) voltage.

PANJIT Ultra-Low Forward Voltage Bridge Rectifiers

11/13/2023

- Engineered with oxide planar chip junction technology and features PI protection layers.

PANJIT S10KC & S10MC Surface-Mount Rectifiers

11/10/2023

- Designed for modern electronics and comes in 94V-0 flammable plastic packages for safety.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

06/03/2025

- Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.

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