Nexperia Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
09/09/2025
Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
07/03/2025
HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
07/03/2025
Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Nexperia Redresseur à récupération hyperrapide ES2D
Nexperia Redresseur à récupération hyperrapide ES2D
05/07/2025
Redresseur de 200 V, 2 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SOD1002-1 SMB.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES3D
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES3D
05/07/2025
Redresseur 200 V, 3 A avec une haute capacité de surtension directe, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1D
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1D
05/07/2025
Redresseur de 200 V, 1 A avec une forte capacité de surtension, encapsulé dans un boîtier SOD1001-1 SMA.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1J
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1J
05/02/2025
Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1B
Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1B
05/02/2025
Redresseur 100 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur de récupération GS5MB
Nexperia Redresseur de récupération GS5MB
04/28/2025
Redresseur 1 000 V, 5 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMB SOD1002-1.
Nexperia Redresseur de récupération GS1M
Nexperia Redresseur de récupération GS1M
04/28/2025
Redresseur 1 000 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur à récupération rapide FR2M
Nexperia Redresseur à récupération rapide FR2M
04/28/2025
Redresseur de 1 000 V, 2 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMB SOD1002-1.
Nexperia Redresseur de récupération GS8M
Nexperia Redresseur de récupération GS8M
04/28/2025
Redresseur 1 000 V, 8 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.
Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide MURS160A
Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide MURS160A
04/28/2025
Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US1J
Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US1J
04/28/2025
Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide US1M
Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide US1M
04/28/2025
Redresseur de 1 000 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur de récupération rapide FR2JA
Nexperia Redresseur de récupération rapide FR2JA
04/28/2025
Redresseur de 600 V, 2 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.
Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US3M
Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US3M
04/28/2025
Redresseur 1 000 V, 3 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.
Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide MURS160B
Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide MURS160B
04/28/2025
Redresseur 600 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SOD1002-1 SMB.
Nexperia Redresseur de récupération GS10M
Nexperia Redresseur de récupération GS10M
04/28/2025
Redresseur de 1 000 V, 10 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.
Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx
Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx
04/14/2025
MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.
Nexperia Protection DES pour les réseaux embarqués PESD1ETH10L
Nexperia Protection DES pour les réseaux embarqués PESD1ETH10L
04/14/2025
Entièrement conforme aux normes OPEN Alliance IEEE 10BASE-T1s, 100BASE-T1 et 1000BASE-T1.
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
04/14/2025
HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.
Nexperia MOSFET de puissance à application spécifique
Nexperia MOSFET de puissance à application spécifique
01/21/2025
Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.
Nexperia ASFET CCPAK pour hotswap et démarrage progressif
Nexperia ASFET CCPAK pour hotswap et démarrage progressif
01/08/2025
Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.
Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q
Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q
12/30/2024
Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.
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    Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
    Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
    09/09/2025
    Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.
    Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H
    Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H
    07/03/2025
    Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.
    Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q
    Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q
    07/03/2025
    Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.
    Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
    Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
    07/03/2025
    Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
    Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
    Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
    07/03/2025
    HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
    ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide
    ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide
    07/02/2025
    Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.
    ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité
    ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité
    07/01/2025
    Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.
    Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
    Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
    07/01/2025
    Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
    ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
    ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
    06/30/2025
    Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    06/30/2025
    Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
    ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR
    ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR
    06/30/2025
    Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.
    Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P
    Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P
    06/27/2025
    Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.
    Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P
    Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P
    06/27/2025
    Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP. 
    Littelfuse Diodes TVS DFNAK3
    Littelfuse Diodes TVS DFNAK3
    06/23/2025
    Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.
    onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)
    onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)
    06/23/2025
    Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
    06/23/2025
    Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.
    Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
    Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
    06/23/2025
    Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.
    ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8
    ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8
    06/18/2025
    Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.
    ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
    ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
    06/16/2025
    Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06/09/2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
    onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
    06/09/2025
    Affiche des valeurs RDS(on)  faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe
    Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG
    Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG
    06/04/2025
    Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.
    Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG
    Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG
    06/04/2025
    22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.
    ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
    ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
    06/04/2025
    MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.
    Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®
    Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®
    06/03/2025
    Redresseurs hyperrapides de 1 200 V, 1 A ou 2 A dans un boîtier SlimSMA HV (DO-221AC).
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