.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Littelfuse Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

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Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diodes TVS 5.0SMDJ-FB

05/21/2025

- Designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transient events.

Littelfuse Thyristor SIDACtor Px0S3H à courant de surtension élevé

05/02/2025

- Conçu pour offrir une protection robuste contre les surtensions dans les environnements à forte exposition.

Littelfuse LX5 TRIAC à porte sensible 0,5 A

04/25/2025

- Une série de commutateurs à semi-conducteurs bidirectionnels qui offre une interface directe aux pilotes de microprocesseur.

Littelfuse Thyristors SCR Sxx30x

04/09/2025

- Pour des applications telles que les relais à semi-conducteurs, les outils électriques industriels et le contrôle de moteur haute puissance.

Littelfuse Thyristors de protection SIDACtor® Pxx00S3G-A

01/28/2025

- Conçus pour protéger les lignes électriques CA situées dans des environnements hostiles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse Diodes TVS ultra basse tension SMF

01/20/2025

- Conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions induites par la foudre.

Littelfuse Solutions pour le groupe motopropulseur des véhicules électriques

01/07/2025

- Large gamme de solutions de groupe motopropulseur xEV adaptées aux environnements automobiles.

Littelfuse Diodes TVS asymétriques TPSMB

12/06/2024

- Conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles des transitoires de tension dus aux éclairs.

Littelfuse Diodes TVS automobiles TPSMB-L

12/02/2024

- Présentent une capacité de dissipation de puissance d'impulsion de crête de 600 W à une forme d'onde de 10/1 000 μs.

Littelfuse AQ1205-01LTG Diode TVS bidirectionnelle

11/28/2024

- Conçue à l'aide de la technologie propriétaire d'avalanche au silicium et fournit une protection DES élevée.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky SiC LSIC2SD065D40CC

11/18/2024

- Temps de commutation extrêmement court et comportement de commutation indépendant de la température.

Littelfuse Barrettes de diodes TVS BLUETOOTH® AQx-01FLTG

09/30/2024

- La technologie propriétaire d'avalanche au silicium protège les équipements électroniques contre les décharges électrostatiques.

Littelfuse Diodes TVS à montage en surface SM8S

08/26/2024

- Le boîtier SMTO-263 avec des modifications de fil et un profil mince minimise l’encombrement de la carte de circuit imprimé.

Littelfuse Diode TVS bidirectionnelle AQ24ETH-02HTG

07/31/2024

- Conforme à la norme Ethernet 100/1000 BASE-T1 de l'OPEN Alliance et aux autres applications de réseau de données haut débit.

Littelfuse Diodes TVS asymétriques SMFA

07/18/2024

- Livrées dans un boîtier SOD-123FL et conçues pour la protection de grille des MOSFET SIC pour les tensions asymétriques.

Littelfuse Réseau de diodes TVS AQ27COM-02HTG

07/15/2024

- Dispose d’un réseau TVS bidirectionnel utilisant une technologie propriétaire d’avalanche au silicium.

Littelfuse Diode TVS unidirectionnelle discrète SC2200-01UTG

06/25/2024

- Conçue pour offrir une protection contre les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions provoquées par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à montage en surface SMCLCE-HR/HRA

05/07/2024

- Protégez les équipements électroniques sensibles contre les tensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diode TVS bidirectionnelle AQ27COM-01

04/30/2024

- Disposent d’une tension de décrochage inverse maximale de 27 V, d’une puissance d’impulsion de crête de 200 W et d’un courant de crête de 4 A.

Littelfuse Diode TVS discrète bidirectionnelle AQ1205-01UTG

04/30/2024

- Fournit un haut niveau de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) pour les équipements électroniques.

Littelfuse Diodes TVS unidirectionnelles AQW05/SDW05-01FTG

02/19/2024

- Avec un courant de crête de 30 A, elles peuvent absorber en toute sécurité des décharges électrostatiques (ESD) répétées de ±30 kV.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06/03/2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

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Littelfuse Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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