.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vishay / BC Components Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

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Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®

06/03/2025

- Redresseurs hyperrapides de 1 200 V, 1 A ou 2 A dans un boîtier SlimSMA HV (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05/20/2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Redresseurs en pont monophasiques passivés au verre

04/17/2025

- Idéal pour la rectification en onde complète en pont CA/CC pour les moniteurs, les imprimantes et les applications d'adaptateur.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire PAR® monté en surface

04/17/2025

- Idéal pour une utilisation dans la protection de l'électronique sensible contre les transitoires de tension induits par la foudre.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04/03/2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay Diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4

03/25/2025

- Diode de 150 A, optimisée pour réduire les pertes et les EMI/RFI dans les systèmes de conditionnement de puissance à haute fréquence.

Vishay Diodes de protection DES

03/14/2025

- Elles offrent une faible résistance thermique et des valeurs de courant et de puissance étendues dans un boîtier SOT-23.

Vishay Diodes à pont monophasé SiC VS-SCx0BA120

11/12/2024

- Composants robustes et haute performance pour une conversion de puissance efficace dans diverses applications.

Vishay MOSFET à canal N SiJK5100E

11/11/2024

- MOSFET de puissance TrenchFET® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

Vishay MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

10/25/2024

- Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK® avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

Vishay MOSFET à canal P 1 200 V MaxSiC™ MXP120A

08/26/2024

- Se caractérisent par un retard de commutation rapide, un temps de résistance de court-circuit de 3 μs et une puissance dissipable admissible de 139 W.

Vishay Redresseur standard SE100PWTLK à faible VF pour montage en surface

08/20/2024

- Comprend un espacement de 2,8 mm et une distance d'isolement, un très mince profil et une hauteur standard de 1,3 mm.

Vishay Redresseurs à barrière de Schottky SS20KH170

08/20/2024

- Monté en surface redresseurs haute densité avec une tension directe ultra-faible de 0,6 V à IF = 5 A.

Vishay Pont redresseur monophasé GBUE2580

08/20/2024

- Il propose une configuration de circuit en ligne unique avec une faible chute de tension directe dans un boîtier GBU.

Vishay Redresseurs à barrière de Schottky SS30KH170/SS30KH170S

08/20/2024

- Redresseurs à montage en surface à haute densité de courant avec une chute de tension directe ultra-faibl .

Vishay T15Bx PAR® Protection DES diodes

08/20/2024

- Conception optimisée de la jonction de caractéristique avec technologie de redresseur anisotrope passivé.

Vishay Redresseur à commutation rapide à montage en surface MRSE1PK

08/08/2024

- Un micro redresseur rapide à montage en surface 1 A, 800 V, idéal pour un placement automatisé.

Vishay MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

07/01/2024

- Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire TransZorb®

06/04/2024

- Disposent d'une excellente capacité de serrage, un temps de réponse très rapide et une faible incrémentation de surtension.

Vishay Diodes à barrière de Schottky SiC SOT-227 VS-SC

05/17/2024

- Diodes Schottky 650 V/ 1200 V à large bande, conçues pour des performances et une robustesse élevées.

Vishay MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

05/17/2024

- Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

Vishay Redresseurs encapsulés DFN33A

04/15/2024

- Ils présentent des dimensions standard de 3,3 mm x 3,3 mm avec une hauteur standard de 0,88 mm.

Vishay SE40N3x Surface-Mount Standard Rectifiers

04/04/2024

- AEC-Q101 qualified, ideal for automated replacement, and offer ESD capability

Vishay SE60N3x Surface-Mount Standard Rectifiers

04/04/2024

- AEC-Q101 qualified, ideal for automated replacement, and offers ESD capability.

Vishay SE30124 Surface-Mount High Voltage Rectifiers

04/04/2024

- Feature high ESD capability, high avalanche capability, and excellent heat dissipation.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

06/03/2025

- Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.

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