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Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)

05/23/2025

- Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.

onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

05/22/2025

- Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.

onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10

05/13/2025

- Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.

onsemi MOSFET NVTFWS003N04XM

04/28/2025

- Une faible capacité et une faible RDS(on) dans un boîtier à petite empreinte µ8FL, de 3,3 mm x 3,3 mm, homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

04/28/2025

- Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

04/28/2025

- Dotés d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction.

onsemi MOSFET NVMFWS1D7N04XM

04/17/2025

- MOSFET à grille STD et canal N simple 154 A, 40 V dans un boîtier SO8FL.

onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM

04/17/2025

- Offre une faible RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier SO-8FL de 5 mm x 6 mm homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVMFWS0D45N04XM

04/17/2025

- MOSFET à grille STD, canal N, simple, 40 V, 469 A, dans un boîtier SO8FL.

onsemi MOSFET NVTFWS002N04XM

04/17/2025

- Présente une faible résistance RRDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm conforme à la norme AEC-Q101.

onsemi Régulateurs de tension Zener MM5Z12VS

04/16/2025

- Conçus pour des applications nécessitant une régulation de tension et une protection précises.

onsemi Diodes de protection DES ESD5Z2.5T1G

04/04/2025

- Conçues pour protéger les composants sensibles à la tension contre les événements de tension transitoire et les décharges électrostatiques (DES).

onsemi Régulateurs de tension Zener MM5Z3V9

04/04/2025

- Emballés dans un boîtier SOD-523 monté en surface avec une tension Zener de 3,9 V et une dissipation d'énergie de 500 mW.

onsemi Vision des machines

03/18/2025

- Une large gamme de solutions de capteurs d'images, du VGA au 45 MP, pour les besoins de vision industrielle.

onsemi MOSFET à canal N NTTFD1D8N02P1E

03/05/2025

- Dispositif double asymétrique proposé dans une petite empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm pour une conception compacte.

onsemi JFET à canal N TF412

03/05/2025

- Conçu pour les amplificateurs à usage général à basse fréquence et les applications de convertission d'impédance.

onsemi Transistors PNP à usage général NST807

03/03/2025

- Transistors à haute performance et fiables avec une faible tension de saturation et des vitesses de commutation rapides

onsemi Transistors NPN à usage général NST817

03/03/2025

- Un fiable solution pour circuit conceptions nécessitant transistor exploitation efficace et effectif.

onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL032N065M3S

02/20/2025

- Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.

onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1

02/20/2025

- Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.

onsemi MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8

02/14/2025

- Dispositif à canal N unique de 30 V à faible résistance de drain et faible charge de grille, fonctionnant même en cas de coupure de courant.

onsemi mosfet à canal p NTMFS003P03P8Z

02/12/2025

- Caractéristique : -30 V, un seul MOSFET de 5 mm x 6 mm pour une économie d’espace et une excellente conduction thermique.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06/03/2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

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