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Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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IXYS Redresseurs automobiles en silicium série Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodes SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Affiche exploitation haute fréquence et capacité élevée de courant de surtension.

IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

IXYS 2 diodes à récupération rapide 50 A, 1 200 V DPF100C1200HB

11/22/2024

- Deux diodes de commutation de puissance à usage général dans une configuration à cathode commune et un boîtier TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IXYS Redresseur DPF30U200FC en pont triphasé sous 200 V et à 30 A

07/22/2024

- Ce dispositif sert couramment de redresseur dans des alimentations électriques à découpage (SMPS).

IXYS Diode DSEP60-06AZ à récupération rapide 60 A et 600 V

07/08/2024

- Diode simple à récupération progressive, à faibles pertes et à hautes performances en boîtier TO-268AA (D3PAK-HV).

IXYS SCR sensible SRU6008DS2RP

02/19/2024

- Un SCR à blocage direct élevé de 600 V, idéal pour les applications de décharge de condensateur à haute tension.

IXYS Modules FRED MPA 95-06DA

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et permet une faible perte de commutation pour les dispositifs de commutation à haute fréquence.

IXYS Modules thyristors MCMA140P1600TA-NI

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et de céramique Al2O3 à liaison directe en cuivre pour la fréquence de ligne.

IXYS Redresseurs à diode unique DMA80I1600HA

08/11/2022

- Comportent des puces passivées planes, un faible courant de fuite et une faible chute de tension directe.

IXYS Double SCR sensibles 1,5 A STP802U2SRP

08/10/2022

- Dv/dt statique élevé avec un faible temps d'arrêt (tq) et un courant à l'état passant de 1,5 ARMS.

IXYS Doubles SCR sensibles 1,5 A STS802U2SRP

08/10/2022

- Offrent un dv/dt statique élevé avec un faible temps d'arrêt (tq) et une capacité de surtension jusqu'à 20 A.

IXYS Module redresseur haute tension MDNA700P2200CC

08/01/2022

- Boîtier ComPack à cycle de puissance et de température amélioré avec un profil en céramique DCB et aux normes de l'industrie.

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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H

07/03/2025

- Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07/03/2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07/03/2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q

07/03/2025

- Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.

ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide

07/02/2025

- Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

07/01/2025

- Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité

07/01/2025

- Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

06/30/2025

- Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P

06/27/2025

- Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.

Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P

06/27/2025

- Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06/23/2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)

06/23/2025

- Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06/23/2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8

06/18/2025

- Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06/04/2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06/04/2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™

06/03/2025

- MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.

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