Les plus récent(e)s MOSFET
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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
06/23/2025
06/23/2025
Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
06/09/2025
06/09/2025
Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe
onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10
05/13/2025
05/13/2025
Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.
onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X
04/28/2025
04/28/2025
Dotés d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction.
onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM
04/28/2025
04/28/2025
Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.
onsemi MOSFET NVTFWS003N04XM
04/28/2025
04/28/2025
Une faible capacité et une faible RDS(on) dans un boîtier à petite empreinte µ8FL, de 3,3 mm x 3,3 mm, homologué AEC-Q101.
onsemi MOSFET NVMFWS0D45N04XM
04/17/2025
04/17/2025
MOSFET à grille STD, canal N, simple, 40 V, 469 A, dans un boîtier SO8FL.
onsemi MOSFET NVMFWS1D7N04XM
04/17/2025
04/17/2025
MOSFET à grille STD et canal N simple 154 A, 40 V dans un boîtier SO8FL.
onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM
04/17/2025
04/17/2025
Offre une faible RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier SO-8FL de 5 mm x 6 mm homologué AEC-Q101.
onsemi MOSFET NVTFWS002N04XM
04/17/2025
04/17/2025
Présente une faible résistance RRDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm conforme à la norme AEC-Q101.
onsemi Vision des machines
03/18/2025
03/18/2025
Une large gamme de solutions de capteurs d'images, du VGA au 45 MP, pour les besoins de vision industrielle.
onsemi MOSFET à canal N NTTFD1D8N02P1E
03/05/2025
03/05/2025
Dispositif double asymétrique proposé dans une petite empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm pour une conception compacte.
onsemi MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8
02/14/2025
02/14/2025
Dispositif à canal N unique de 30 V à faible résistance de drain et faible charge de grille, fonctionnant même en cas de coupure de courant.
onsemi mosfet à canal p NTMFS003P03P8Z
02/12/2025
02/12/2025
Caractéristique : -30 V, un seul MOSFET de 5 mm x 6 mm pour une économie d’espace et une excellente conduction thermique.
onsemi Pilote côté bas auto-protégé double NCV8406DD
11/07/2024
11/07/2024
A dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit.
onsemi Technologie PowerTrench
06/18/2024
06/18/2024
Represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10.
onsemi MOSFET de puissance NVMFS4C306N
05/10/2024
05/10/2024
MOSFET de puissance automobile dans un boîtier SO8-FL à broches plat de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes et efficaces.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTMFS3D0N08X
05/02/2024
05/02/2024
Idéal pour l’alimentation dans le Cloud, les télécommunications 5G, d’autres applications PSU, CC/CC et les applications industrielles.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTMFS0D7N04XM
04/23/2024
04/23/2024
MOSFET de puissance à seuil de grille de 40 V standard avec résistance à l'état passant à la pointe de l'industrie pour les applications de commande moteur.
onsemi MOSFET de puissance NVMYS3D8N04CL
03/11/2024
03/11/2024
MOSFET monocanal N dans un boîtier LFPAK de 5 mm x 6 mm conçu pour des conceptions compactes et efficaces.
onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTMFS005P03P8Z
03/05/2024
03/05/2024
Fournit une tension drain-source de -30 V, une résistance en marche de 2,7 mΩ à 10 V et un courant drain/veille de 164 A.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5C604N
03/01/2024
03/01/2024
Il présente un courant de drain continu de 288 A, une RDS(ON) de 1,2 mΩ à 10 V et une tension drain-source de 60 V.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS002N10MCL
03/01/2024
03/01/2024
Dispose d’un courant de drain continu de 177 A, d’une RDS(ON) de 2,8 mΩ à 10 V et d’une tension drain-source de 100 V.
onsemi Pompes à chaleur
03/01/2024
03/01/2024
La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.
onsemi MOSFET de puissance NVTYS020N08HL
02/28/2024
02/28/2024
MOSFET monocanal N 80 V, 20 mΩ et 30 A construit avec une conception compacte et efficace.
Consulter : 1 - 25 sur 54
Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
09/09/2025
09/09/2025
Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.
ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
06/30/2025
06/30/2025
Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
06/23/2025
06/23/2025
Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
06/16/2025
06/16/2025
Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
06/09/2025
06/09/2025
Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
06/04/2025
06/04/2025
MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V
06/03/2025
06/03/2025
Conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction.
onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10
05/13/2025
05/13/2025
Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V
04/30/2025
04/30/2025
Offrent un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM) et une faible résistance RDS(on) à l'état passant.
onsemi MOSFET NVTFWS003N04XM
04/28/2025
04/28/2025
Une faible capacité et une faible RDS(on) dans un boîtier à petite empreinte µ8FL, de 3,3 mm x 3,3 mm, homologué AEC-Q101.
onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM
04/28/2025
04/28/2025
Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.
onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X
04/28/2025
04/28/2025
Dotés d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction.
PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs
04/21/2025
04/21/2025
Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.
onsemi MOSFET NVMFWS1D7N04XM
04/17/2025
04/17/2025
MOSFET à grille STD et canal N simple 154 A, 40 V dans un boîtier SO8FL.
onsemi MOSFET NVMFWS0D45N04XM
04/17/2025
04/17/2025
MOSFET à grille STD, canal N, simple, 40 V, 469 A, dans un boîtier SO8FL.
onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM
04/17/2025
04/17/2025
Offre une faible RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier SO-8FL de 5 mm x 6 mm homologué AEC-Q101.
onsemi MOSFET NVTFWS002N04XM
04/17/2025
04/17/2025
Présente une faible résistance RRDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm conforme à la norme AEC-Q101.
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
04/16/2025
04/16/2025
Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.
Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx
04/14/2025
04/14/2025
MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V
04/11/2025
04/11/2025
Dispose d’une faible résistance RDS(on) de pointe, de performances de commutation améliorées et d’un excellent comportement EMI.
Renesas Electronics MOSFET de puissance REXFET-1 100 V et 150 V
03/21/2025
03/21/2025
Utilise la technologie à grille divisée avec des pattes de flanc mouillables, idéale pour les applications à courant élevé.
onsemi Vision des machines
03/18/2025
03/18/2025
Une large gamme de solutions de capteurs d'images, du VGA au 45 MP, pour les besoins de vision industrielle.
IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W
03/17/2025
03/17/2025
650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.
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