Les plus récent(e)s Transistors bipolaires - BJT

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onsemi Transistors NPN à usage général NST817
onsemi Transistors NPN à usage général NST817
03/03/2025
Un fiable solution pour circuit conceptions nécessitant transistor exploitation efficace et effectif.
onsemi Transistors PNP à usage général NST807
onsemi Transistors PNP à usage général NST807
03/03/2025
Transistors à haute performance et fiables avec une faible tension de saturation et des vitesses de commutation rapides
onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) NSS100xCL
onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) NSS100xCL
12/20/2024
High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.
onsemi Transistors PNP NST856MTWFT
onsemi Transistors PNP NST856MTWFT
10/22/2024
Dispositifs 65V, 100 mA conçus pour les applications d'amplificateur à usage général.
onsemi Transistor moyenne puissance NPN BCP56M
onsemi Transistor moyenne puissance NPN BCP56M
10/18/2024
Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et logé dans le boîtier DFN2020-3.
onsemi Transistor de moyenne puissance PNP BCP53M
onsemi Transistor de moyenne puissance PNP BCP53M
10/18/2024
Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et logé dans le boîtier DFN2020-3.
onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1
onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1
10/17/2024
Conçu pour les applications à montage en surface à faible puissance logées dans le boîtier SOT-363/SC-88.
onsemi Transistors bipolaires NSS40300CT
onsemi Transistors bipolaires NSS40300CT
10/07/2024
Disposent d’une faible tension de saturation VCE(sat) et d’une capacité de gain de courant élevée.
onsemi Transistor NPN NST846MTWFT
onsemi Transistor NPN NST846MTWFT
10/07/2024
Fonctionne aux normes 65 V, 100 mA et est conçu pour les applications d’amplificateur à usage général.
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT
10/04/2024
Se caractérise par sa faible tension de saturation VCE(sat) et sa capacité de gain de courant élevée.
onsemi Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge
onsemi Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge
07/01/2024
Ces CMS présentent une tension ultra-basse de saturation (VCE(sat)) et une haute capacité de gain de courant.
onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE
onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE
01/30/2024
Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et dispose d’une VCE < 0,5 V.
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4
12/29/2023
Transistor NPN combinant faible tension de saturation et faible VCE (sat) à gain élevé.
onsemi Transistors à usage général MJK44H11T
onsemi Transistors à usage général MJK44H11T
02/10/2023
Conçu pour répondre aux exigences d’une large gamme d’applications d’alimentation et de commutation.
onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) MJK31CT
onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) MJK31CT
02/10/2023
Idéaux pour les applications de puissance et de commutation dans divers secteurs.
onsemi Transistors bipolaires NPN NST160xCL 160 V 1,5 A
onsemi Transistors bipolaires NPN NST160xCL 160 V 1,5 A
04/09/2022
Transistor bipolaire à jonction caractérisé par un courant élevé, une faible tension de saturation et une commutation ultra-rapide.
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Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
03/05/2025
Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.
onsemi Transistors PNP à usage général NST807
onsemi Transistors PNP à usage général NST807
03/03/2025
Transistors à haute performance et fiables avec une faible tension de saturation et des vitesses de commutation rapides
onsemi Transistors NPN à usage général NST817
onsemi Transistors NPN à usage général NST817
03/03/2025
Un fiable solution pour circuit conceptions nécessitant transistor exploitation efficace et effectif.
Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q
Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q
12/30/2024
Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.
onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) NSS100xCL
onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) NSS100xCL
12/20/2024
High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.
Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C
Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C
11/14/2024
Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.
onsemi Transistors PNP NST856MTWFT
onsemi Transistors PNP NST856MTWFT
10/22/2024
Dispositifs 65V, 100 mA conçus pour les applications d'amplificateur à usage général.
onsemi Transistor de moyenne puissance PNP BCP53M
onsemi Transistor de moyenne puissance PNP BCP53M
10/18/2024
Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et logé dans le boîtier DFN2020-3.
onsemi Transistor moyenne puissance NPN BCP56M
onsemi Transistor moyenne puissance NPN BCP56M
10/18/2024
Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et logé dans le boîtier DFN2020-3.
onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1
onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1
10/17/2024
Conçu pour les applications à montage en surface à faible puissance logées dans le boîtier SOT-363/SC-88.
onsemi Transistor NPN NST846MTWFT
onsemi Transistor NPN NST846MTWFT
10/07/2024
Fonctionne aux normes 65 V, 100 mA et est conçu pour les applications d’amplificateur à usage général.
onsemi Transistors bipolaires NSS40300CT
onsemi Transistors bipolaires NSS40300CT
10/07/2024
Disposent d’une faible tension de saturation VCE(sat) et d’une capacité de gain de courant élevée.
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT
10/04/2024
Se caractérise par sa faible tension de saturation VCE(sat) et sa capacité de gain de courant élevée.
Nexperia Transistors PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q
Nexperia Transistors PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q
07/04/2024
Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.
onsemi Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge
onsemi Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge
07/01/2024
Ces CMS présentent une tension ultra-basse de saturation (VCE(sat)) et une haute capacité de gain de courant.
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor
04/11/2024
AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.
onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE
onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE
01/30/2024
Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et dispose d’une VCE < 0,5 V.
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4
onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4
12/29/2023
Transistor NPN combinant faible tension de saturation et faible VCE (sat) à gain élevé.
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors
11/10/2023
Offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA.
Nexperia transistor bipolaire à signal faible en boîtier DFN
Nexperia transistor bipolaire à signal faible en boîtier DFN
11/02/2023
Répond à la demande croissante de fonctions électroniques des véhicules.
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN Transistor
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) in an SOT-363 package.
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified general-purpose Bipolar Junction Transistor (BJT) in a SOT-23 package.
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified Bipolar Junction transistor (BJT) with 200mW power dissipation.
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with 600mA collector current.
Nexperia Transistors bipolaires de puissance en boîtier DFN BJT
Nexperia Transistors bipolaires de puissance en boîtier DFN BJT
07/06/2023
Un format compact qui utilise environ 75 % moins d'espace de carte et permet une plus grande flexibilité de conception.
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