SemiQ Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets
Types de Semiconducteurs discrets
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SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
08/26/2024
08/26/2024
Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
03/21/2024
03/21/2024
Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
03/21/2024
03/21/2024
Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11/15/2023
11/15/2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03/09/2023
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03/09/2023
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
07/28/2022
07/28/2022
Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.
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Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
09/09/2025
09/09/2025
Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
07/03/2025
07/03/2025
Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
07/03/2025
07/03/2025
HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Semtech Protections DES & EOS RClamp03301H-RClamp0801H
07/03/2025
07/03/2025
Les protectionss DES et EOS est spécifiquement développées pour protéger les lignes Ethernet haute vitesse.
Bourns Diodes TVS SMF4C et SMF4C-Q
07/03/2025
07/03/2025
Protects against voltage transients induced by inductive load switching in a variety of electronics.
ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide
07/02/2025
07/02/2025
Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.
ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité
07/01/2025
07/01/2025
Conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR, elles sont utilisées dans les diodes de roue libre.
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
07/01/2025
07/01/2025
Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
06/30/2025
06/30/2025
Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06/30/2025
06/30/2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR
06/30/2025
06/30/2025
Présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, une haute fiabilité et un courant inverse ultra-faible.
Semtech Diode TVS μClamp® uClamp5591P
06/27/2025
06/27/2025
Dotée de jonctions à grande surface de section transversale pour la conduction de courants transitoires élevés.
Semtech Diode de protection DES RailClamp® RClamp03348P
06/27/2025
06/27/2025
Conçue pour minimiser à la fois la limitation de crête DES et la tension de limitation TLP.
onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)
06/23/2025
06/23/2025
Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.
Littelfuse Diodes TVS DFNAK3
06/23/2025
06/23/2025
Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.
Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
06/23/2025
06/23/2025
Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G
06/23/2025
06/23/2025
Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière Schottky RBx8
06/18/2025
06/18/2025
Caractéristique haute fiabilité, faible IR, structure plane épitaxiale en silicium et IO jusqu'à 1 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
06/16/2025
06/16/2025
Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V
06/09/2025
06/09/2025
Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
06/04/2025
06/04/2025
MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.
Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG
06/04/2025
06/04/2025
22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.
Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG
06/04/2025
06/04/2025
Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
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