Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IPTC007N06NM5ATMA1

Name: Infineon IPTC007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TC007N06NM5ATMA1
Price: 6.22 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-TC007N06NM5ATMA1

N° de fab. :

IPTC007N06NM5ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 60V

Fiche technique:

IPTC007N06NM5ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IPTC007N06NM5ATMA1

Disponibilité

Stock:: 0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,22 €	6,22 €
	4,21 €	42,10 €
	3,12 €	312,00 €
	3,03 €	1 515,00 €
	2,83 €	2 830,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)
	2,83 €	5 094,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Série:	IPTC007N06
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Mode canal:	Enhancement
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	330 S
Id - Courant continu de fuite:	454 A
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Nombre de canaux:	1 Channel
Package/Boîte:	HDSOP-16
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Type de produit:	MOSFETs
Qg - Charge de grille:	209 nC
Rds On - Résistance drain-source:	750 uOhms
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	Si
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	76 ns
Délai d'activation standard:	38 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Raccourcis pour l'article N°:	IPTC007N06NM5 SP005753483

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IPTC007N06NM5ATMA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 5

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
Learn More