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BSL308PEH6327XTSA1

Name: Infineon BSL308PEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSL308PEH6327XTS
Price: 0.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-BSL308PEH6327XTS

N° de fab. :

BSL308PEH6327XTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Fiche technique:

BSL308PEH6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,817 €	0,82 €
	0,48 €	4,80 €
	0,336 €	33,60 €
	0,262 €	131,00 €
	0,237 €	237,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,203 €	609,00 €
	0,177 €	1 062,00 €
	0,169 €	1 521,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	88 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	2.8 ns, 2.8 ns
Transconductance directe - min.:	4.6 S, 4.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.7 ns, 7.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 P-Channel
Délai de désactivation type:	15.3 ns, 15.3 ns
Délai d'activation standard:	5.6 ns, 5.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSL308PE H6327 SP001101004
Poids de l''unité:	20 mg

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Fiche technique

BSL308PEH6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à faible signal Infineon sont disponibles dans 7 types de boîtiers standard allant du plus large, le SOT-223, au plus petit, le SOT-363 qui mesure 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Ils sont disponibles en configuration simple, double ou complémentaire. Ils sont disponibles en version à canal N, à canal P ou complémentaire (canal P et canal N dans le même boîtier) pour répondre aux différents besoins de conception. Les applications habituelles de ces dispositifs comprennent la protection des batteries, l'éclairage à LED, les pilotes à faible tension et les convertisseurs CC/CC. Tous les MOSFET de puissance à signal faible sont qualifiés Automotive AEC Q101.
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